- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C30B - Croissance des monocristaux; solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes; affinage des matériaux par fusion de zone; production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; appareillages à cet effet
- C30B 29/68 - Cristaux avec une structure multicouche, p.ex. superréseaux
Détention brevets de la classe C30B 29/68
Brevets de cette classe: 226
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| QROMIS, Inc. | 87 |
10 |
| NGK Insulators, Ltd. | 4589 |
7 |
| Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University | 2329 |
7 |
| ASM IP Holding B.V. | 1715 |
5 |
| Element Six Technologies Limited | 179 |
5 |
| Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | 1640 |
5 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
4 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
4 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 43934 |
4 |
| Sumitomo Chemical Company, Limited | 8808 |
4 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 4750 |
4 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
4 |
| Nichia Corporation | 3394 |
4 |
| Drexel University | 951 |
4 |
| NuFlare Technology, Inc. | 770 |
4 |
| The Regents of the University of California | 18943 |
3 |
| Denso Corporation | 23338 |
3 |
| Global Graphene Group, Inc. | 246 |
3 |
| Sensor Electronic Technology, Inc. | 471 |
3 |
| Tokuyama Corporation | 1248 |
3 |
| Autres propriétaires | 136 |